氮化鎵和碳化硅器件的開關損耗測試設備

       傳統的半導體I-V特性測量方案通常是復雜且成本昂貴的，需要多種儀器配合完成測試，如電壓/電流源，脈沖發生器，高精密電壓/電流表等。不僅占用有限的測試臺架空間，同時工程師需要編程實現多臺設備的控制及同步，才能確保測試結果的準確度。源測量單元為工程師提供了一種即經濟又高效的解決方案。它集六種設備功能于一體，將不同輸出和測量能力整合到緊湊的2U尺寸中，可輸出電壓或電流以及同時測量電壓和/或電流。它兼具以下儀器的功能：四象限電壓源、電流源、61/2數字萬用表、脈沖發生器、電池模擬器以及電子負載。

       脈沖模式下，源測量單元支持±10.5A的脈沖電流輸出，脈寬可低至50μs，能夠精準模擬功率器件的瞬態工況，如GaN（氮化鎵）、SiC（碳化硅）器件的開關損耗測試等，為功率半導體器件的研發和測試提供了強有力的支持。

       具體步驟

1、?連接源表和示波器?：將源表連接到功率器件的兩端，同時使用示波器觀察電壓和電流波形。確保使用帶屏蔽的短引線探頭以避免外部噪聲干擾。?

2、?波形分割?：將導通和關斷過程中的波形分割成若干段，每段可以通過簡單的三角形和矩形分段求和的方法來計算損耗。

3、?數據處理?：通過公式計算每段的損耗，然后將各段損耗相加得到總損耗。例如，導通損耗可以通過公式P=V×I×t 計算，其中 V 是電壓，I 是電流，t 是時間。